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醇酸漆组成性质确化锢外延材料

作者 Admin 浏览 发布时间 12/06/13

醇酸漆外延生长分为两个阶段进于.在第一阶段,将盛有.姻的石英舟放在电炉中源区.通入盆气加热到700-850 ,再用盆气将三抓化确引人.在翎源上方艘还原成礴燕气和级化氮.氛化氢与钥反应生成一饭化锢燕气在竹中迁移.确溶解在姻中直至饱和为止.在第二阶段.姻旅保待原位皿不加热.单晶衬底放在电炉的第二加沮区后,在复气氛下加热到600--750。首先用氢气将三叙化礴引人到管内对衬底进行气相腐蚀.清洗衬底表面。再将氢气直接引人反应管.并把砚加热到它的过饱和沮度(在操作中此沮度比衬底晶体的沮度介loo).然后通过氢气鼓泡将三叙化碑引人.这时礴燕气与在源区生成的一板化钥反应.在衬底上淀积生长出礴化姻层。

当外延生长完成后,向系统中通纯氢气.将两个沮区冷却到室沮,取出产物,制得确化钥成品用途用于制造长波长《1.3-1.m)激光器.激光二极份充电集成电路.太阳电他,高电子迁移率晶体管毒性与防护本品低毒.小鼠经口一氏。为5000mg/kg。长助接触其扮尘可能导致肺组织损伤。生产人员应穿工作服、截口罩和乳胶手套等劳保用品包装及贮运参见020213确化稼单晶参考生产厂家信息产业部电子第十三研究所、峨姗半导体材料厂、北京有色金属研究总院、中国科学院半异体研有所礴化姻外孤材料登录号组成性质确化锢外延材料的电子累积能在势阱中形成高浓度二维电子气,可以获得很高的迁移率.能够有效控制界面平坦度界面缺陷密度、组分变化的陡峭度.应变层厚度小于临界值。避免产生失配位锗

面块陷致少侧法采用As(2N)" Ga(7N), In(7N)AI(6N), Si(7N)固态源分子束外延(MBE)法制备lnP/AIInAs/GaInAs.首先,在超真空中将InP衬底加热,通人In, Al原子束流和As.分子束流,分子束被衬底表面吸附的In原子分解为As原子,Ga, As和原子同时被衬底吸附,则在衬底上生成AllnAs薄膜。然后,采用同样方法在AIInA:上生长GaInAs薄膜.MBE法的特点是在超真空条件下生长,杂质污染少